本校於2013年8月1日獲得中華民國第I 404136號專利，專利名稱為「製作底切蝕刻微結構的製程方法」

內容：

1. 專利國別：中華民國
2. 公告日：2013年8月1日
3. 專利類型：發明
4. 專利號：I404136
5. 專利名稱：製作底切蝕刻微結構的製程方法
6. 摘要：本發明提出一種製作底切蝕刻微結構的製程方法，此微結構大部份與基板分離，僅以一微小支柱與基板連結。其製作原理是使用離子佈植，在基板表面特定深度位置形成材料結構破壞區，接下來對基板進行蝕刻。在無蝕刻遮罩保護的區域，蝕刻會往深度方向進行，當蝕刻至材料結構破壞區時，由於離子佈植遮罩較蝕刻遮罩小，蝕刻會橫向沿著材料結構破壞區進行，構成一以支柱支撐的微結構。此製程方法可用於鐵電晶體、半導體等材料上，所製作的底切蝕刻微結構可應用於光波導、光電元件和電子元件，對於提昇元件效能、降低元件面積、提昇元件密度有很大的助益。
7. 發明人：王子建、鄒岳勳
8. 本校教師發明人介紹：