本校於2013年8月1日獲得中華民國第I 404129號專利，專利名稱為「半導體性質類鑽碳薄膜之製造方法」

內容：

1. 專利國別：中華民國
2. 公告日：2013年8月1日
3. 專利類型：發明
4. 專利號：I404129
5. 專利名稱：半導體性質類鑽碳薄膜之製造方法
6. 摘要：一種半導體性質類鑽碳薄膜之製造方法，以射頻磁控濺鍍法在矽基板上製備含硼類鑽碳(B－DLC)薄膜，其使用硼錠片嵌入石墨靶中作為複合靶材，硼錠片即為摻雜源，並在形成含硼類鑽碳薄膜後，將薄膜退火於溫度500℃且持溫10分鐘，而後進行霍爾效應以及四點探針分析，分別分析其載子濃度與電阻率，證實含硼類鑽碳薄膜之極性為p型半導體特性，且載子濃度可達1.3×1018cm－3，以及電阻率約為0.6 Ω－cm；因此，本發明具有優異半導體特性與高溫穩定性之含硼半導體類鑽碳薄膜，將可有很好的應用與發展在太陽能電池或電子傳輸及電極元件與設備上。
7. 發明人：王錫福、蒲瑞臻、林家綸、許富珽、徐開鴻、吳玉娟、王錫九、宋健民、胡紹中、甘明吉
8. 本校教師發明人介紹：